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ATT2102-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器

型　號(hào)

所屬分類熒光光譜儀

報(bào)價(jià)

產(chǎn)品描述：ATT2102-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器芯片-電路模塊由1個(gè)256×1的InGaAs芯片、2個(gè)128×1的讀出電路及一個(gè)過(guò)渡電極板組合而成。光敏芯片采用正入射結(jié)構(gòu)，光敏元為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)，256個(gè)光敏元呈一字型排列，相鄰光敏元的中心距為50μm，單個(gè)光敏元尺寸為50μm×500μm，如圖2所示。

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產(chǎn)品概述

ATT2102-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器

產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品概述

　　芯片-電路模塊由1個(gè)256×1的InGaAs芯片、2個(gè)128×1的讀出電路及一個(gè)過(guò)渡電極板組合而成。光敏芯片采用正入射結(jié)構(gòu)，光敏元為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)，256個(gè)光敏元呈一字型排列，相鄰光敏元的中心距為50μm，單個(gè)光敏元尺寸為50μm×500μm，如圖2所示。

圖1 256×1的InGaAs光敏芯片

ATT2102-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)器

表1. 產(chǎn)品的性能參數(shù)

器件規(guī)模	256×1
像元尺寸µm2	50×500
像元中心距µm	50
光譜響應(yīng) µm	0.9～1.7
峰值探測(cè)率 cmHz1/2/W @5℃,1.55μm	≥2×1012
響應(yīng)非均勻性 %	≤5
盲元率 %	≤2
動(dòng)態(tài)范圍dB	≥70
工作溫度范圍 ℃	-20～60
貯存溫度范圍 ℃	-40～70
外形尺寸/封裝形式mm	≤75(L)×30(W)×15(H)

圖2 產(chǎn)品的典型響應(yīng)光譜

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上一個(gè)： ATT1121--金屬封裝高性能硅光電池（PD）
下一個(gè)： ATT2103-256×1短波紅外InGaAs焦平面探測(cè)模塊

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